Intel será el primero en demostrar chips de 45 nm funcionales
La nueva tecnologÃa mejorará el desempeño y la eficiencia en el consumo de energÃa de futuras plataformas de Intel
SANTA CLARA, California, 25 de Enero del 2006– Intel Corporation anunció hoy que se ha convertido en la primera compañÃa en lograr un hito importante en el desarrollo de tecnologÃa de lógica de 45 nanometros (nm). Intel ha producido lo que se cree son los primeros chips de SRAM (Static Random Access Memory) completamente funcionales utilizando la tecnologÃa de proceso de 45 nm, su proceso de manufactura de semiconductore
s de alto volumen de la siguiente generación.
Alcanzar este hito significa que Intel está en vÃas de manufacturar chips con esta tecnologÃa en el 2007 con obleas de 300 mm, y continúa el enfoque de la compañÃa en llevar al máximo los lÃmites de la Ley de Moore, introduciendo una nueva generación de proceso cada dos años.
Hoy dÃa, Intel encabeza la industria en la producción en volumen de semiconductore
s utilizando la tecnologÃa de proceso de 65 nm, con dos plantas de manufactura que producen chips de 65 nm en Arizona y Oregon y dos más que se inaugurarán este año en Irlanda y Oregon.
"Ser el primero con producción de alto volumen con tecnologÃa de proceso de 65 nm y el primero con un chip funcional de 45 nm destaca la posición de liderazgo de Intel en tecnologÃa y manufactura de chips", señaló Bill Holt, vicepresidente y gerente general del Grupo de TecnologÃa y Manufactura de Intel. "Intel tiene un largo historial de traducir los avances en tecnologÃa en beneficios tangibles que las personas aprecian. Nuestra tecnologÃa de 45 nm sentará las bases para ofrecer PCs con desempeño mejorado por watt, lo que optimizará la experiencia del usuario".
La tecnologÃa de proceso de 45 nm de Intel hará posibles chips con más de cinco veces menos fugas de energÃa que los que se producen hoy. Esto prolongará la vida de la baterÃa de dispositivos móviles e incrementará las oportunidades para construir plataformas más compactas y poderosas.
El chip de SRAM de 45 nm tiene más de 1,000 millones de transistores. Aunque no está diseñado como producto de Intel, el chip de SRAM demuestra desempeño de la tecnologÃa, producción de proceso y confiabilidad del chip antes de la producción en volumen de procesadores y otros chips lógicos utilizando el proceso de manufactura de 45 nm. Es un primer paso clave en la marcha hacia la manufactura de alto volumen de los dispositivos más complejos del mundo.
Además de las capacidades de manufactura de su planta D1D en Oregon, donde ya se encuentran en curso los esfuerzos iniciales con el desarrollo de 45 nm, Intel ha anunciado dos fábricas de alto volumen de producción en construcción para la manufactura de chips utilizando la tecnologÃa de proceso de 45 nm: Fab 32 en Arizona y Fab 28 en Israel.
Intel, lÃder mundial en innovación en silicio, desarrolla tecnologÃas, productos e iniciativas para integrar adelantos continuamente a la forma de trabajar y vivir de las personas. Se puede obtener información adicional acerca de Intel en www.intel.com/espanol/pressroom.
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